Kingston HyperX 4GB (2x 2GB)/ DDR3 /PC3-12800 1600Mhz- CL9
Descripción del producto
Características:
JEDEC estandar 1.5V ± 0.075V (Fuente de poder)
VDDQ = 1.5V ± 0.075V
667MHz fCK a 1333Mb/sec/pin
8 bancos independientes
Latencia programable CAS: 5,6,7,8,9,10
CAS posteable
Latencia programable adicional: 0, CL - 2, o CL - 1 clock
Latencia de escritura programable de CAS (CWL) = 7(DDR3-1333)
8-bits de pre-fetch
Burst Length: 8 (Intervalo sin límite alguno, secuencial con dirección de inicio “000” solamente), 4 con tCCD = 4 que no permite leer y escribir sin problemas [ya sea sobre la marcha mediante A12 o MRS]
Bi-direccional de datos diferencial Strobe
Interno de calibración: calibración interna a través de la libre ZQ pines (RZQ : 240 ohm ± 1%)
Terminación utiliza pines ODT
Promedio de periodo de refrescar 7.8us a baja y TCASE 85°C, 3.9us a 85°C < TCASE . 95°C
Reseteo Asynchronous
PCB : Alto 1.180” (30.00mm), componente con dos lados
JEDEC estandar 1.5V ± 0.075V (Fuente de poder)
VDDQ = 1.5V ± 0.075V
667MHz fCK a 1333Mb/sec/pin
8 bancos independientes
Latencia programable CAS: 5,6,7,8,9,10
CAS posteable
Latencia programable adicional: 0, CL - 2, o CL - 1 clock
Latencia de escritura programable de CAS (CWL) = 7(DDR3-1333)
8-bits de pre-fetch
Burst Length: 8 (Intervalo sin límite alguno, secuencial con dirección de inicio “000” solamente), 4 con tCCD = 4 que no permite leer y escribir sin problemas [ya sea sobre la marcha mediante A12 o MRS]
Bi-direccional de datos diferencial Strobe
Interno de calibración: calibración interna a través de la libre ZQ pines (RZQ : 240 ohm ± 1%)
Terminación utiliza pines ODT
Promedio de periodo de refrescar 7.8us a baja y TCASE 85°C, 3.9us a 85°C < TCASE . 95°C
Reseteo Asynchronous
PCB : Alto 1.180” (30.00mm), componente con dos lados
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